TRENCHSTOP™ 5 IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBT是新世代的薄晶圓IGBT(絕緣閘雙極電晶體)，與目前領先的產品相較下，傳導與開關耗損極低。TRENCHSTOP 5是針對開關頻率高於10kHz的應用所設計。晶圓厚度減少25%以上，大幅改善開關及傳導耗損，更將擊穿電壓提高到650V。效能提升幅度驚人，為設計人員打開了嶄新的探索機會。

結果: 37
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
156庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
585在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 148 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
101庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
283庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
960預期2026/9/21
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
4,018預期2026/9/10
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
前置作業時間 36 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 38 A 125 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES
規格書
無庫存前置作業時間 36 週
最少： 240
倍數： 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
無庫存前置作業時間 36 週
最少： 240
倍數： 240

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
無庫存前置作業時間 36 週
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 240
倍數： 240

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube