RGT20NL65GTL

Name: ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGT20NL65GTL
Price: 114 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-RGT20NL65GTL

製造商編號：

RGT20NL65GTL

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

IGBT 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

規格書:

RGT20NL65GTL 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-263-3
安裝風格:	SMD/SMT
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	2.1 V
柵極發射機最大電壓:	30 V
連續集電極電流在25 C:	20 A
Pd - 功率消耗 :	53 W
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	ROHM Semiconductor
柵射極漏電電流:	200 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	1000
子類別:	IGBTs
零件號別名:	RGT20NL65

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規格書

RGT20NL65GTL 規格書 (PDF)

Specification Sheets

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合規守則

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 大韓民國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT

ROHM Semiconductor RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT features low collector-emitter saturation voltage, ideal for general inverter, UPS, power conditioner, and welding applications. The ROHM RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT offers a short circuit withstand time of 5μs. Additionally, the device is specified to ±30V gate - emitter voltage and a 20A @ 25°C collector current.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.