EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

結果: 31
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
規格書
7,428庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
規格書
1,516庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
規格書
2,551庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
規格書
1,710庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
規格書
1,044庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
規格書
1,695庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
規格書
461庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
規格書
475庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
規格書
2,893庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
規格書
409庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
規格書
2,996庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
規格書
314庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
規格書
2,927庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V
規格書
產品評論
7,616庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
規格書
835庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
規格書
440庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 20A N-CH MOSFET
規格書
1,387庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 20A N-CH MOSFET
規格書
1,620庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
規格書
332庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
規格書
29庫存量
1,000預期2026/8/3
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
規格書
59庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
規格書
953預期2026/9/21
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
規格書
975在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
規格書
500現貨供應
更多資訊可用
最少： 50
倍數： 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
規格書
暫無庫存
最少： 1,000
倍數： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube