碳化矽MOSFET – Mouser 臺灣

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SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

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Vgs - 閘極-源極電壓

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選擇	圖像	零件編號	製造商	說明	規格書	供貨情況	定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。	數量	RoHS	ECAD模型	安裝風格	封裝/外殼	通道數	Vds - 漏-源擊穿電壓	Id - C連續漏極電流	Rds On - 漏-源電阻	Vgs - 閘極-源極電壓	Vgs th - 門源門限電壓	Qg - 閘極充電	最低工作溫度	最高工作溫度	Pd - 功率消耗	通道模式	資格
	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: NT$717.72 181庫存量 600在途量	製造商元件編號 SCT020W120G3-4AG Mouser 元件編號 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 了解更多關於STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	規格書	181庫存量 600在途量	NT$717.72 NT$425.18	最少： 1 倍數： 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: NT$494.73 20庫存量 1,200在途量	製造商元件編號 SCT070W120G3-4AG Mouser 元件編號 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多關於STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	規格書	20庫存量 1,200在途量	NT$494.73 NT$330.54 NT$310.82 NT$278.91 NT$262.06	最少： 1 倍數： 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: NT$525.92 599預期2026/12/14	製造商元件編號 SCT070HU120G3AG Mouser 元件編號 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package 了解更多關於STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	規格書	599預期2026/12/14	帶狀裁切 NT$525.92 NT$361.01 NT$317.99 捲 NT$286.80	最少： 1 倍數： 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: NT$463.54 無庫存前置作業時間 25 週	製造商元件編號 SCT070H120G3AG Mouser 元件編號 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package 了解更多關於STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	規格書	無庫存前置作業時間 25 週	帶狀裁切 NT$463.54 NT$345.59 NT$287.88 NT$256.69 捲 NT$239.84	最少： 1 倍數： 1 : 1,000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: NT$452.43 無庫存前置作業時間 36 週	製造商元件編號 SCT070W120G3-4 Mouser 元件編號 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多關於STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	規格書	無庫存前置作業時間 36 週	NT$452.43 NT$336.99 NT$280.71 NT$250.23	最少： 1 倍數： 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement