62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules

Infineon Technologies 62mm C Series TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules offer high power density and a positive temperature coefficient. The TRENCHSTOP IGBT7 technology and standard housing make the modules ideal for servo drives, UPS systems, and commercial agriculture vehicles. The Infineon 62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules are qualified for industrial applications.

結果: 7
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A dual IGBT module
規格書
32庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
規格書
29庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module
規格書
32庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 600 A dual IGBT module
規格書
32庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 800 A dual IGBT module
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 800 A dual IGBT module
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray