QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 最大工作頻率 最低工作頻率 技術
Qorvo 氮化鎵場效應管 30W, DC - 6GHz, Flanged 73庫存量
帶狀裁切
NT$12,567.22
NT$11,057.57
NT$9,937.26
捲
NT$9,937.26
最少: 1
倍數: 1
: 50
Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W 6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo 氮化鎵場效應管 30W, DC - 6GHz 43庫存量
帶狀裁切
NT$13,749.19
NT$12,163.19
NT$9,937.26
捲
NT$9,937.26
最少: 1
倍數: 1
: 50
Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W 6 GHz 0 Hz GaN