EMD4DXV6數位電晶體 (BRT)

安森美 (onsemi) EMD4DXV6數位電晶體 (BRT) 旨在取代單一裝置及其外部電阻器偏壓網路。偏壓電阻器晶體 (BRT) 將單一電晶體與由兩個電阻組成的單片偏壓網路整合在一起,包括一個串聯基極電阻器與一個基極-發射極電阻器。這些BRT透過將這些個別元件整合至單一裝置中,消除了這些個別元件。EMD4DXV6晶體管具有50VDC集電極-基極電壓、50VDC集電極-發射極電壓和100mADC集電極電流。這些晶體管支援-55°C至+150°C的結溫與存放溫度範圍。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 配置 晶體管極性 標準輸入電阻器 標準電阻比 安裝風格 封裝/外殼 直流集電極/增益 hfe 最小值 集電極-發射極最大電壓VCEO 連續集電極電流 集電極最大電流 Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
onsemi 數位電晶體 Dual Complementary NPN & PNP Digital 5,369庫存量
帶狀裁切
NT$13.62
NT$8.46
NT$5.31
NT$3.94
捲
NT$2.37
最少: 1
倍數: 1
: 4,000
Dual NPN, PNP 47 kOhms 1, 0.21 SMD/SMT SOT-553-5 80 50 V 100 mA 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi 數位電晶體 Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
4,000預期2027/7/9
帶狀裁切
NT$20.08
NT$13.91
NT$8.82
捲
NT$8.82
最少: 1
倍數: 1
最大: 400
: 4,000
Dual NPN, PNP 10 kOhms 0.21 SMD/SMT SOT-563-6 80 50 V 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape