結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 封裝
onsemi MOSFET模組 Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
20預期2026/11/24
最少: 1
倍數: 1
最大: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi MOSFET模組 Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
20預期2026/11/24
最少: 1
倍數: 1
最大: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray
onsemi MOSFET模組 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package
28預期2026/10/13
最少: 1
倍數: 1
最大: 3

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W Tray
onsemi MOSFET模組 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28預期2027/2/16
最少: 1
倍數: 1
最大: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 333 W Tray
onsemi MOSFET模組 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28預期2027/2/16
最少: 1
倍數: 1
最大: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 240 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 500 W Tray
onsemi MOSFET模組 EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28預期2027/2/16
最少: 1
倍數: 1
最大: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray