DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

結果: 113
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
7,454庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 890 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
1,627庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W
規格書
2,143庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
規格書
966庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
規格書
56庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
規格書
516庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
規格書
26庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
34庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
151庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ
規格書
1,788庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 670 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ
規格書
2,487庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=211W F=1MHZ
規格書
149庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
2,356庫存量
1,200在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 62 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 135 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=297W F=1MHZ
規格書
107庫存量
270預期2026/8/21
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 85 nC + 150 C 297 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=150W F=1MHZ
規格書
135庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
規格書
2,281庫存量
5,000預期2027/1/15
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 87 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
規格書
4,513庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
規格書
12庫存量
100預期2026/11/16
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
規格書
86庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 36 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 205 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
規格書
10庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
規格書
128庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
規格書
40庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 100 A 15 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 360 nC - 55 C + 150 C 797 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
207庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
規格書
45庫存量
150預期2027/1/11
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 327 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube