NTBG023N065M3S

Name: onsemi NTBG023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG023N065M3S
Price: 438.45 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTBG023N065M3S

製造商編號：

NTBG023N065M3S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

規格書:

NTBG023N065M3S 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-7
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	40 A
Rds On - 漏-源電阻:	33 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	69 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	263 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	9.6 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	SiC MOSFETS
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	15 ns
系列:	NTBG023N065M3S
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
晶體管極性:	N-Channel
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	35 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTBG023N065M3S 規格書 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-21 (PDF)

合規守則

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

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