IKWH30N65WR5XKSA1

Name: Infineon IKWH30N65WR5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKWH30N65WR5XKSA
Price: 133 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IKWH30N65WR5XKSA

製造商編號：

IKWH30N65WR5XKSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

IGBT HOME APPLIANCES

規格書:

IKWH30N65WR5XKSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247-3-32
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.4 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	75 A
Pd - 功率消耗 :	190 W
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tube
品牌:	Infineon Technologies
集電極最大連續電流Ic :	30 A
柵射極漏電電流:	100 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	240
子類別:	IGBTs
零件號別名:	IKWH30N65WR5 SP005430891

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規格書

IKWH30N65WR5XKSA1 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 德國

出貨時，國家可能會有所變更。

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