UF4C/SC 1200V第4代SiC FET

Qorvo UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是高性能係列,可提供業界最佳的品質因數。UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC FET是用於電動汽車充電器、工業電池充電器、工業電源、可再生能源、能源儲存、焊機、UPS和感應加熱應用中主流800 V匯流排架構的理想之選。Gen 4系列提供23mΩ 至70mΩ 選項,基於獨特的共源共柵配置,其中高性能SIC JFET與共源共柵優化的Si-MOSFET共同封裝,以生產標準柵極驅動SIC組件。此功能允許在不改變柵極驅動電壓的情況下進行靈活設計,輕鬆替換Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超級結裝置。

結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 384庫存量
NT$518.03
NT$333.41
NT$280.35
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 673庫存量
NT$944.65
NT$791.21
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 727庫存量
NT$590.09
NT$346.31
NT$334.84
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO26 580庫存量
帶狀裁切
NT$571.81
NT$339.86
NT$335.91
捲
NT$321.57
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO26 513庫存量
帶狀裁切
NT$496.16
NT$284.65
捲
NT$267.44
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 675庫存量
帶狀裁切
NT$783.68
NT$509.79
NT$500.47
捲
NT$500.47
最少: 1
倍數: 1
最大: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO24 277庫存量
NT$580.05
NT$329.10
NT$327.67
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24 304庫存量
NT$504.41
NT$281.78
NT$273.18
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET UF4C120053B7S 200庫存量
NT$623.79
NT$475.01
NT$395.78
最少: 1
倍數: 1
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET UF4C120070B7S 170庫存量
NT$518.03
NT$394.71
NT$328.74
最少: 1
倍數: 1
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 5,400工廠有庫存
NT$506.20
最少: 600
倍數: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET