650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

結果: 28
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
規格書
318庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
規格書
417庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
規格書
318庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
規格書
188庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
規格書
268庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
規格書
317庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
規格書
438庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
規格書
450庫存量
2,160在途量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
規格書
402庫存量
480預期2026/10/1
最少： 1
倍數： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
規格書
476庫存量
480預期2026/11/19
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
規格書
680庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
規格書
前置作業時間 40 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
規格書
235庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
規格書
237庫存量
240預期2027/4/5
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
規格書
232庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
規格書
162庫存量
240預期2026/12/3
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
規格書
97庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
規格書
82庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
規格書
149庫存量
240預期2026/10/29
最少： 1
倍數： 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
規格書
187庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
規格書
27庫存量
240預期2026/10/8
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
規格書
6庫存量
480在途量
最少： 1
倍數： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
規格書
460預期2026/11/5
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube