NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

結果: 8
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
規格書
780庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
規格書
788庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
規格書
739庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
規格書
741庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C