1200V雙IGBT模組

英飛凌1200V雙IGBT模組為EconoDUAL™ 3 1200V、900A雙TRENCHSTOP™ IGBT7模組，採用第7代發射器控制二極體、NTC和PressFIT接點技術。IGBT模組在相同外框尺寸和避免並聯的情況下提供更高的逆變器輸出電流。英飛凌1200V雙IGBT模組提供簡單可靠的組裝方式和高互連可靠性。

結果: 11
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A dual IGBT module
規格書
17庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 450 A dual IGBT module
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 MEDIUM POWER 62MM
規格書
10庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module
規格書
33庫存量
最少： 1
倍數： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module
規格書
12庫存量
29預期2026/8/21
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT Module
規格書
15預期2026/10/20
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 MEDIUM POWER 62MM
規格書
20預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 750 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 10
倍數： 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 100 A PIM IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 10
倍數： 10

Tray