RJ1N04BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1N04BBHTL1
Price: 160.61 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-RJ1N04BBHTL1

製造商編號：

RJ1N04BBHTL1

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

壽命週期:

新產品:

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規格書:

RJ1N04BBHTL1 規格書

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263AB-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	5.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	46 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	89 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	38 ns
互導 - 最小值:	20 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	14 ns
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	65 ns
標準開啟延遲時間:	30 ns

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所選屬性: 0

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規格書

RJ1N04BBHTL1 規格書

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合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

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