QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Id - C連續漏極電流 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 最大工作頻率 最低工作頻率 技術
Qorvo 氮化鎵場效應管 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10預期2026/11/26
NT$18,550.22
NT$16,053.63
NT$15,429.12
最少: 1
倍數: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo 氮化鎵場效應管 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10預期2026/11/26
NT$18,550.22
NT$16,053.63
NT$15,429.12
最少: 1
倍數: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC