結果: 20
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
795庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 127 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
771庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 183 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
826庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
180庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
815庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 139 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
335庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
151庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
558庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
1,126庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
1,030庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
164庫存量
1,000預期2026/7/29
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
503庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
664庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
218庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
60庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
3,004在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 500
倍數： 500

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
無庫存前置作業時間 21 週
最少： 240
倍數： 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
規格書
無庫存前置作業時間 21 週
最少： 240
倍數： 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube