IAUZ4xN06S5 60V Automotive OptiMOS™ - MOSFET

Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V Automotive OptiMOS™ - MOSFET具有低漏源導通電阻、低閘極電荷及低閘極電容,將傳導和開關損耗降至最低。這些N通道增強模式的MOSFET還具有極低的22.7nC至23.0nC反向恢復電荷。

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 資格 公司名稱 封裝
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 7,437庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 13,723庫存量
35,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 60 V, N-Ch, 1.1 m max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
5,000預期2026/12/10
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 310 A 1.12 mOhms 20 V 3.4 V 105 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 60 V, N-Ch, 7.4 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
5,000預期2026/10/8
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 7.4 mOhms 20 V 3.4 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape