CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體

英飛凌CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體採用高效率GaN（氮化鎵）電晶體技術，可用於電壓高達650V的功率轉換。英飛凌GaN技術運用端對端的大批量生產，使E模式概念臻至成熟。此開創性的品質可確保最高標準，並提供最可靠的效能。強化模式的CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體可透過超快速切換改善系統效率和功率密度。

結果: 12
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
4,511庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
4,825庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
4,720庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
1,173庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
1,495庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
878庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
482庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
1,268庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
613庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
5庫存量
3,600預期2026/12/16
最少： 1
倍數： 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
9,090在途量
最少： 1
倍數： 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
規格書
3,537在途量
最少： 1
倍數： 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement