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QPD0005TR13

Name: Qorvo QPD0005TR13
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0005TR13
Price: 173.51 TWD
Availability: OutOfStock

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請參閱產品規格

Mouser 編號：

772-QPD0005TR13

製造商編號：

QPD0005TR13

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
Vds - 漏-源擊穿電壓:	48 V
最大工作頻率:	5 GHz
最低工作頻率:	2.5 GHz
技術:	GaN
品牌:	Qorvo
增益:	18.8 dB
最大漏柵電壓:	48 V
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	5 W
封裝:	Reel
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD0005
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
零件號別名:	QPD0005 QPD0005SR

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Product Catalogs

Description, Features, and Specification Overview (PDF)

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合規守則

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

QPD0005 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0005 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) in a plastic overmold DFN package. These RF transistors operate over a 2.5GHz to 5GHz frequency range. Qorvo QPD0005 GaN RF Transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering P_SAT of 8.7W at 48V operation. These transistors come in a 4.5mm x 4.0mm package and are RoHS compliant. Applications include WCDMA / LTE, macrocell base station, microcell base station, small cell, active antenna, 5G massive MIMO, and general-purpose applications.