DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

結果: 19
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
規格書
4,891庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV-H Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
637庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 85 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
98庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6
規格書
21庫存量
30預期2026/7/27
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 24 mOhms 30 V 4 V 140 nC + 150 C 506 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
56庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
51庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
79庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
規格書
48庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
規格書
19庫存量
60預期2026/11/25
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
46庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
規格書
60庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
97預期2026/9/14
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=180W F=1MHZ
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 DTMOSIV-H Reel