StrongIRFET™ 2功率MOSFET

英飛凌科技StrongIRFET™ 2功率MOSFET是N通道、標準電位且經過100%突崩測試的MOSFET。英飛凌StrongIRFET 2 MOSFET針對廣泛的應用最佳化。MOSFET提供80V至100V的VDS範圍和2.4 mΩ至8.2 mΩ的RDS(on)。

結果: 74
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
規格書
2,799庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 128 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 95 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
規格書
1,358庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
規格書
1,417庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
3,987庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
規格書
2,474庫存量
1,600預期2026/12/10
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 426 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 300 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET
規格書
3,008庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 208 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 135 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
479庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
規格書
961庫存量
1,000預期2026/11/19
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
規格書
911庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
規格書
544庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
規格書
53庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 187 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
124庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
規格書
104庫存量
2,400預期2026/11/26
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
415庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 259 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
568庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
379庫存量
1,000預期2027/1/28
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
規格書
96庫存量
2,000預期2026/11/19
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W
規格書
1,851庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 123 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 93 nC - 55 C + 175 C 99 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
2,000預期2027/4/8
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
規格書
2,998在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
規格書
799預期2026/8/27
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 191 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 800
倍數： 800
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel