1200V SiC MOSFET

安森美 (onsemi) 1200V SiC MOSFET採用全新技術，與矽裝置相比，可提供出色的開關性能和更高的可靠性。這些MOSFET可提供低導通電阻，以確保低電容和閘極電荷。1200V SiC MOSFET可實現如下系統優勢：提高系統效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸。這些MOSFET具有阻斷電壓、高速開關、低電容的特點，並可在-55°C至175°C溫度範圍運行。1200 V SiC MOSFET可提供汽車級（符合AEC-Q101）部件，並符合RoHS規定。這些MOSFET最適用於升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉換器、車載充電器 (OBC)、電機控制、工業電源及伺服器電源。

結果: 26
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
規格書
947庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 20
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET 20MW 1200V
規格書
893庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
規格書
1,387庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
規格書
2,423庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
規格書
1,930庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
規格書
1,853庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
規格書
146庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
規格書
670庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
規格書
1,185庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
規格書
1,930庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
規格書
1,182庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
規格書
181庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
規格書
282庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
規格書
224庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 20MW 1200V
規格書
2,163庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET 20MW 1200V
規格書
646庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
規格書
456庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
規格書
187庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
規格書
767庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 60

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
規格書
84庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
規格書
403庫存量
800預期2026/10/13
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 270
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
規格書
205庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
規格書
183庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
規格書
53庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
規格書
無庫存前置作業時間 49 週
最少： 450
倍數： 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC