PDFN-8 半導體

結果: 36
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
YAGEO XSemi MOSFET N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms 無庫存前置作業時間 22 週
捲
NT$12.08
NT$11.79
NT$11.69
NT$11.08
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88 無庫存前置作業時間 26 週
捲
NT$95.00
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88 無庫存前置作業時間 26 週
捲
NT$199.68
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
Navitas Semiconductor 氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88 無庫存前置作業時間 26 週
捲
NT$297.91
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 無庫存前置作業時間 18 週
帶狀裁切
NT$180.68
NT$167.42
NT$103.61
捲
NT$103.61
NT$101.81
最少: 1
倍數: 1
: 250
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 前置作業時間 18 週
帶狀裁切
NT$222.27
NT$148.06
NT$137.31
捲
NT$137.31
NT$135.51
最少: 1
倍數: 1
: 250
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 前置作業時間 18 週
帶狀裁切
NT$271.74
NT$145.91
NT$116.87
捲
NT$116.87
NT$112.21
最少: 1
倍數: 1
: 250
MACOM MAAL-011198-TR1000
MACOM RF放大器 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
無庫存前置作業時間 22 週
捲
NT$2,033.05
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000
iDEAL Semiconductor MOSFET 無庫存前置作業時間 12 週
捲
NT$40.87
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000
Taiwan Semiconductor 氮化鎵場效應管 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor 無庫存前置作業時間 30 週
帶狀裁切
NT$509.07
最少: 9,000
倍數: 3,000
: 3,000
Taiwan Semiconductor 氮化鎵場效應管 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor 無庫存前置作業時間 30 週
帶狀裁切
NT$287.52
最少: 9,000
倍數: 3,000
: 3,000