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MOSFET N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
- XP3840CDT33
- YAGEO XSemi
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3,000:
NT$12.08
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無庫存前置作業時間 22 週
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Mouser 元件編號
603-XP3840CDT33
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YAGEO XSemi
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MOSFET N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
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無庫存前置作業時間 22 週
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最少: 3,000
倍數: 3,000
:
3,000
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氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
- NV6026C
- Navitas Semiconductor
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3,000:
NT$95.00
-
無庫存前置作業時間 26 週
-
新產品
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Mouser 元件編號
740-NV6026C
新產品
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Navitas Semiconductor
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氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
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無庫存前置作業時間 26 週
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最少: 3,000
倍數: 3,000
:
3,000
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氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
- NV6028
- Navitas Semiconductor
-
3,000:
NT$199.68
-
無庫存前置作業時間 26 週
-
新產品
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Mouser 元件編號
740-NV6028
新產品
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Navitas Semiconductor
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氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
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無庫存前置作業時間 26 週
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最少: 3,000
倍數: 3,000
:
3,000
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氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
- NV6029
- Navitas Semiconductor
-
3,000:
NT$297.91
-
無庫存前置作業時間 26 週
-
新產品
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Mouser 元件編號
740-NV6029
新產品
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Navitas Semiconductor
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氮化鎵場效應管 GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
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無庫存前置作業時間 26 週
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最少: 3,000
倍數: 3,000
:
3,000
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氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-6-LR-MR
- Infineon Technologies
-
1:
NT$180.68
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無庫存前置作業時間 18 週
-
壽命結束
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Mouser 元件編號
499-GS065011-6-LR-MR
壽命結束
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Infineon Technologies
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氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS
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無庫存前置作業時間 18 週
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最少: 1
倍數: 1
:
250
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氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-014-6-LR-MR
- Infineon Technologies
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1:
NT$222.27
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前置作業時間 18 週
-
壽命結束
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Mouser 元件編號
499-GS065014-6-LR-MR
壽命結束
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Infineon Technologies
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氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS
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前置作業時間 18 週
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最少: 1
倍數: 1
:
250
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氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-018-6-LR-MR
- Infineon Technologies
-
1:
NT$271.74
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前置作業時間 18 週
-
壽命結束
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Mouser 元件編號
499-GS065018-6-LR-MR
壽命結束
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Infineon Technologies
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氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS
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前置作業時間 18 週
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最少: 1
倍數: 1
:
250
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RF放大器 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
MACOM MAAL-011198-TR1000
- MAAL-011198-TR1000
- MACOM
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1,000:
NT$2,033.05
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無庫存前置作業時間 22 週
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Mouser 元件編號
937-MAAL011198TR1000
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MACOM
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RF放大器 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
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無庫存前置作業時間 22 週
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最少: 1,000
倍數: 1,000
:
1,000
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MOSFET
- iS20M028S1C
- iDEAL Semiconductor
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5,000:
NT$40.87
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無庫存前置作業時間 12 週
-
新產品
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Mouser 元件編號
25-IS20M028S1C
新產品
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iDEAL Semiconductor
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MOSFET
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無庫存前置作業時間 12 週
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最少: 5,000
倍數: 5,000
:
5,000
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氮化鎵場效應管 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
- TSG65N068CE RVG
- Taiwan Semiconductor
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9,000:
NT$509.07
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無庫存前置作業時間 30 週
-
NRND
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Mouser 元件編號
821-TSG65N068CERVG
NRND
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Taiwan Semiconductor
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氮化鎵場效應管 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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無庫存前置作業時間 30 週
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最少: 9,000
倍數: 3,000
:
3,000
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氮化鎵場效應管 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
- TSG65N110CE RVG
- Taiwan Semiconductor
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9,000:
NT$287.52
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無庫存前置作業時間 30 週
-
NRND
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Mouser 元件編號
821-TSG65N110CERVG
NRND
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Taiwan Semiconductor
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氮化鎵場效應管 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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無庫存前置作業時間 30 週
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最少: 9,000
倍數: 3,000
:
3,000
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