2 Gbit 嵌入式解決方案

嵌入式解決方案的類型

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Alliance Memory AS5F12G04SND-10LIN
Alliance Memory NAND快閃 SPI SLC NAND快閃, 2Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6) 301庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V 130庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V 50庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V 38庫存量
760預期2027/8/5
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.5V DDR3 I-Temp 15庫存量
8,170在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L 16庫存量
2,280在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L I-Temp 15庫存量
1,900在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI NAND快閃 2G 3V x8 4-bit NAND快閃 98庫存量
96在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI NAND快閃 2G 1.8V x8 4-bit NAND快閃 55庫存量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, AUTO TEMP - Tray 8庫存量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 64M X 32, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray 6庫存量
171預期2027/1/14
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

GigaDevice NOR快閃記憶體
4,771在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR4, 2G, 128M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray 16庫存量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 2Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
2,200在途量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NAND快閃 Serial NAND 3V 2Gbit x4 WSON ECC-Free
3,954在途量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Macronix NAND快閃 Serial NAND 1.8V 2Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
4,000在途量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NOR快閃記憶體 Serial NOR 1.8V 2Gbit x4 I/O BGA-24
3,267在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

Macronix NOR快閃記憶體 Serial NOR 1.8V 2Gbit x4 I/O BGA-24 QE=1 +105C
1,340在途量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
335預期2026/10/8
最少: 1
倍數: 1

Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60
264預期2027/2/9
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
4,526在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16
2,726在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
80預期2027/8/26
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
2,089在途量
最少: 1
倍數: 1