AP Memory Technology 記憶體 IC

記憶體 IC的類型
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結果: 54
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24
規格書
9,123預期2027/1/18
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 64 Mbit
AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
規格書
10,862庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 10,000

DRAM SMD/SMT USON-8 64 Mbit
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
6,167庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 512 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
規格書
440庫存量
960預期2026/12/21
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 128 Mbit
AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
規格書
8,789庫存量
9,600預期2026/12/21
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
規格書
3,233庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
規格書
2,646庫存量
2,880預期2027/1/21
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 512 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
規格書
238庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 128 Mbit

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
規格書
19庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

DRAM SMD/SMT SOP-8 16 Mbit

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
規格書
23,660預期2026/12/21
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

DRAM SMD/SMT SOP-8 64 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
9,600預期2027/1/26
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 64 Mbit
AP Memory APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM
規格書
工廠直接付運
最少： 30,000
倍數： 30,000
: 30,000

DRAM
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-15 128 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 128 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 10,000
倍數： 10,000
: 10,000

DRAM SMD/SMT USON-8 16 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 16 Mbit

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

DRAM SMD/SMT SOP-8 16 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 16 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 64 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-13 64 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
規格書
前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 64 Mbit
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 15 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-15 128 Mbit
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit