SMD/SMT Bulk 記憶體 IC

結果: 52
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 20
倍數： 20

EEPROM SMD/SMT PGA-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 120NS
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 20
倍數： 20

EEPROM SMD/SMT PGA-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 20
倍數： 20

EEPROM SMD/SMT PGA-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 120NS
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 20
倍數： 20

EEPROM SMD/SMT PGA-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 90NS
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 20
倍數： 20

EEPROM SMD/SMT PGA-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 1M 5V SDP - 120NS PGA 883C
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 20
倍數： 20

EEPROM SMD/SMT PGA-30 1 Mbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 1M 5V SDP - 150NS
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 20
倍數： 20

EEPROM SMD/SMT PGA-30 1 Mbit Parallel
Intelligent Memory eMMC 64GB eMMC 5.1 153 ball (11.5x13) MLC -40 to 105C AEC-Q100 Auto Grade 2
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1
Swissbit eMMC Industrial Embedded MMC, EM-30 (153-b), 4 GB, 3D TLC Flash, -40C to +85C
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

eMMC SMD/SMT BGA-153 4 GB eMMC 5.1
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 480
倍數： 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 480
倍數： 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 135
倍數： 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 209
倍數： 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 209
倍數： 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI NOR快閃 16M SPI, WSON ET 1.65-1.95V
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 1
倍數： 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit QPI, SPI
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 72
倍數： 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel