Tray 記憶體和資料儲存

記憶體和資料儲存設備類型

變更類別視圖
結果: 14,325
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Renesas Electronics FIFO 16K x 18 SuperSync FIFO, 3.3V 34庫存量
最少: 1
倍數: 1

Renesas Electronics SRAM 128Kx36 Synch 3.3V PipeLined Burst SRAM 91庫存量
最少: 1
倍數: 1

GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M 1庫存量
最少: 1
倍數: 1

Microchip Technology NOR快閃 2.7V to 3.6V 32Mbit Multi-Prps Fl 479庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies NOR快閃 64 Mbit (8 Mbyte) 1.8-V FS-S Flash 312庫存量
980預期2026/9/17
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies NOR快閃 PNOR 78庫存量
最少: 1
倍數: 1

Renesas Electronics SRAM 32Kx8, 256K, 3.3V DUAL-PORT RAM 1庫存量
最少: 1
倍數: 1

Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM 64庫存量
最少: 1
倍數: 1

RAMXEED MB85RC256VPNF-G-AME2
RAMXEED F-RAM 256kbit FeRAM with I2C serial interface, 5V - SOP8 (159mil) tube 399庫存量
最少: 1
倍數: 1
GSI Technology SRAM 1庫存量
最少: 1
倍數: 1
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 1M x 36 36M 5庫存量
最少: 1
倍數: 1
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M 70庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies NOR快閃 HYPERFLASH 24庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies NOR快閃 PNOR 無庫存前置作業時間 19 週
最少: 1
倍數: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 118庫存量
4,800預期2026/8/21
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ INDUSTRIAL TEMP C Die (MT41K512M16HA-125IT:A), 229庫存量
最少: 1
倍數: 1

Renesas Electronics SRAM 3V 64K X 16 SRAM 149庫存量
最少: 1
倍數: 1

GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M 18庫存量
最少: 1
倍數: 1

GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 15庫存量
最少: 1
倍數: 1

GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M 38庫存量
最少: 1
倍數: 1
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 6庫存量
最少: 1
倍數: 1

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 7庫存量
最少: 1
倍數: 1

SkyHigh Memory NAND快閃 SLC,4Gb,1x,3V,x8,1bit,VBM63, 170庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies SRAM ASYNC 82庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI 202庫存量
最少: 1
倍數: 1