ISSI 記憶體 IC

結果: 2,945
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品
產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
規格書
144預期2026/9/9
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT FBGA-165 18 Mbit Parallel
ISSI IS62C5128EL-45TLI
ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,512K x 8,45ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS
規格書
351預期2026/8/20
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-32 4 Mbit Parallel

ISSI NOR快閃 128Mb 3V 80/166Mhz Serial NOR快閃
規格書
559在途量
最少： 1
倍數： 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit SPI
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 45MHz Serial SRAM IT
規格書
100預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT SOIC-8 1 Mbit SDI, SPI, SQI

ISSI SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V
規格書
1預期2026/10/14
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI IS43LD32128C-18BPLI
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
168預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

DRAM
ISSI IS43LD32320C-18BLI
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
171預期2027/5/18
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-134
ISSI IS43LQ16256B-062BLI
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
272預期2027/7/28
最少： 1
倍數： 1

DRAM
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
規格書
956在途量
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
2,500預期2026/12/15
最少： 1
倍數： 1
: 2,500
DRAM SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
960在途量
最少： 1
倍數： 1
DRAM SMD/SMT 256 Mbit
ISSI IS25LP01GG-RMLE-TY
ISSI NOR快閃 1Gb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, reset pin, tray
350預期2027/3/11
最少： 1
倍數： 1

NOR Flash
ISSI IS25WP512MG-RHLA2
ISSI NOR快閃 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade
規格書
1,289在途量
最少： 1
倍數： 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 512 Mbit Dual/Quad SPI/QPI
ISSI IS43LR16640C-5BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
規格書
280在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI IS43LR16640C-6BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
規格書
300預期2027/8/11
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI IS46QR16512A-075VBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
136預期2026/12/16
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS
規格書
108預期2026/8/24
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
230預期2027/8/11
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
規格書
242預期2026/10/12
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
規格書
10在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
7,807預期2027/7/29
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
規格書
108預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
90在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
270預期2026/11/16
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
規格書
213預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT 1 Mbit Parallel