ISSI 記憶體 IC

結果: 2,944
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品
產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
ISSI NAND快閃 2G 3.3V x8 1-bit NAND快閃 I-Temp
規格書
96預期2026/12/2
最少： 1
倍數： 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
規格書
348在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
190預期2027/7/22
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
規格書
216預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
108預期2026/8/26
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
108在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
239在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
200預期2027/3/19
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI IS25WP512M-RMLE-TY
ISSI NOR快閃 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS. dedicated reset pin, Tray
規格書
645預期2026/11/16
最少： 1
倍數： 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 512 Mbit QPI
ISSI IS46TR16640C-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
規格書
190預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
855預期2027/8/18
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gb
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 480
倍數： 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 210
倍數： 210

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 480
倍數： 480

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 1 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,256K x 16,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel