SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

結果: 2,420
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
最高時鐘頻率
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
封裝
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 245 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36
18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36
18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36
18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
無庫存前置作業時間 17 週
最少： 2,300
倍數： 21

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 160 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 190 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
無庫存前置作業時間 13 週
最少： 2,300
倍數： 21

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 225 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray