Tray DRAM

結果: 919
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
規格書
540預期2026/9/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M16SB Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
581預期2026/8/13
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
規格書
540預期2026/8/26
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
190在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32400F Tray
ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
規格書
80在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
規格書
696預期2027/7/13
最少： 1
倍數： 1

SDRAM BGA-54 IS45S16160J Tray
ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
規格書
136在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR16512BL Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
規格書
585預期2027/7/28
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
規格書
1,392預期2026/12/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16160K Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
239預期2027/7/12
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
規格書
323預期2026/11/26
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDR
規格書
348預期2027/7/27
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
規格書
648在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160F Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
規格書
124預期2026/10/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Automotive Temp - Tray
規格書
204預期2026/9/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp - Tray
規格書
212預期2026/8/10
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, Automotive temp - Tray
規格書
432在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS4C4M16SA Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (A-die), Industrial Temp - Tray
規格書
627預期2026/8/20
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D2A Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray
規格書
190預期2026/8/13
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C AS4C64M16D3B Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
規格書
190預期2026/12/15
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3B Tray
Alliance Memory DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
規格書
348預期2026/8/26
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 16 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M32MSA Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
312預期2026/12/16
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C2M32S Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54pin TSOPII, 166 Mhz, Industrial temp - Tray
規格書
216預期2026/8/14
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 128M X 16, 1.2V, 134ball BGA A-DIE INDUSTRIAL TEMP - Tray
規格書
121在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M16MD2A-25 Tray
Alliance Memory AS4C16M32MD1B-5BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 512Mb, 16M x 32 , 1.8V, 90-Ball BGA,200MHz, Industrial Temp ( -40C to 85C), B DIE
規格書
180在途量
最少： 1
倍數： 1

Tray