Tray DRAM

結果: 918
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 933 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 800 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 171
倍數： 171

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 933 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 933 MHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 800 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray