Tray DRAM

結果: 918
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 800 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 933 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 933 MHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 800 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 800 MHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
Zentel Japan A3T4GF30CBF-HP
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L ECC 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,200
倍數： 2,200

DDR3(L) ECC Tray
Zentel Japan A3T4GF30CBF-HPI
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L ECC 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,200
倍數： 2,200

DDR3(L) ECC Tray
Zentel Japan A3T4GF40CBF-HP
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L ECC 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,900
倍數： 1,900

DDR3(L) ECC Tray
Zentel Japan A3T4GF40CBF-HPI
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L ECC 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,900
倍數： 1,900

DDR3(L) ECC Tray
Alliance Memory AS4C128M16MD4V-062BAN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 2Gb, 128M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 680
倍數： 136

SDRAM Mobile - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory AS4C128M32MD4A-062BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4(1.1v), 4Gb (x32), 1600MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package with ECC
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 136
倍數： 136

Tray
Alliance Memory AS4C512M16MD4VA-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X(0.6v), 8Gb (x16), 2133MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package -40C to +85C
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

Tray
Alliance Memory AS4C512M32MD4VA-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP, RevA
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 120
倍數： 120
Tray
Alliance Memory AS4C256M16MD4A-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4(1.1v), 4Gb (x16), 2133MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 136
倍數： 136

Tray
Alliance Memory AS4C256M16MD4V-062BAN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 4Gb, 256M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 680
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory AS4C256M32MD4A-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4(1.1v), 8Gb (x32), 2133MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 136
倍數： 136

Tray
Alliance Memory AS4C128M32MD4VA-062BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X(0.6v), 4Gb (x32), 1600MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package with ECC
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 136
倍數： 136

Tray
Alliance Memory AS4C128M16D3C-93BIN
Alliance Memory DRAM DDR3, 2Gb, 128M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 2133MHz, Industrial Temp, C Die
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FBGA-96 128 M x 16 180 ps 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Tray