+ 85 C SRAM

結果: 5,913
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 資格 封裝

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS 145庫存量
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3.135 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 3庫存量
最少: 1
倍數: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Renesas Electronics SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
70預期2026/9/11
最少: 1
倍數: 1
18 Mbit 512 k x 36 12 ns Parallel 2.6 V 2.4 V 790 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM
4,300在途量
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Tube
Infineon Technologies SRAM ASYNC
95預期2026/9/17
最少: 1
倍數: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
510預期2027/3/25
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
999預期2026/9/16
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
1,896預期2027/3/25
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
480預期2026/10/15
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
192預期2026/11/26
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
168預期2027/8/12
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 512 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT PBGA-119 Tray

onsemi SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT 43庫存量
865預期2027/1/29
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
54預期2026/12/14
最少: 1
倍數: 1

512 kbit 32 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
106預期2027/1/11
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
36預期2026/9/4
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 32 k x 36 5 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 415 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M
46預期2026/11/9
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
381預期2026/11/26
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
841在途量
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
1,377預期2026/11/2
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM
141在途量
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 8.5 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
196預期2026/11/13
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
26預期2026/11/3
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
4預期2026/9/1
最少: 1
倍數: 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
12預期2026/9/25
最少: 1
倍數: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 32M
10預期2026/9/25
最少: 1
倍數: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray