+ 85 C SRAM

結果: 5,913
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
最高時鐘頻率
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
資格
封裝
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M
規格書
11預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1
72 Mbit 2 M x 36 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.17 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
規格書
42預期2026/9/1
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
14,158在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
429庫存量
最少： 1
倍數： 1

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
Renesas Electronics SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM
規格書
40預期2026/12/21
最少： 1
倍數： 1
否
2 Mbit 64 k x 36 25 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies CY7C1461KV33-133AXI
Infineon Technologies SRAM No Bus Latency(NoBL) Burst SRAM
規格書
72預期2026/9/24
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz - 40 C + 85 C Tray
Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
規格書
300預期2026/9/4
最少： 1
倍數： 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
規格書
184預期2026/8/31
最少： 1
倍數： 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM
規格書
675預期2026/12/3
最少： 1
倍數： 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
1,755預期2026/9/3
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
規格書
1,918預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
規格書
2,910預期2026/12/16
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

2 Mbit 256 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
規格書
471庫存量
最少： 1
倍數： 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
規格書
395預期2026/9/8
最少： 1
倍數： 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 20ns, Industrial Temp - Tube
規格書
500在途量
最少： 1
倍數： 1

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM 1Mb, SRAM, 128K x 8, 5V, 32pin SOJ (300 mil), 12ns, Industrial Temp, Corner Power, D Die, T&R
規格書
1,000預期2026/10/2
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

1 MB 128 k x 8 12 ns 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM
規格書
384預期2026/8/31
最少： 1
倍數： 1

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray

ISSI SRAM 1M (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
規格書
963預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
規格書
551預期2026/9/14
最少： 1
倍數： 1

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
2,828預期2026/9/3
最少： 1
倍數： 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
規格書
960預期2027/2/4
最少： 1
倍數： 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
規格書
476預期2027/2/4
最少： 1
倍數： 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
規格書
144預期2026/9/7
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 512K x 16, 2.7 3.6V, 48ball TFBGA (6x8mm) (two chip select pins:B5 and A6), 45ns, Industrial Temp, B Die
規格書
475預期2026/9/9
最少： 1
倍數： 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 4Mb 2.4-3.6V 10ns 512x8 Async SRAM
規格書
270預期2026/9/21
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube