SRAM

結果: 9,450
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
最高時鐘頻率
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
資格
封裝
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
規格書
106預期2027/1/11
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
規格書
36預期2026/9/11
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 32 k x 36 5 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 415 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M
規格書
46預期2026/11/9
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
規格書
381預期2026/11/26
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
規格書
841在途量
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM
規格書
141在途量
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 8.5 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
規格書
196預期2026/11/13
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
36預期2026/8/25
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
47預期2026/9/16
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
36預期2026/8/31
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
規格書
4預期2026/8/25
最少： 1
倍數： 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 32M
規格書
10預期2026/9/14
最少： 1
倍數： 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M
規格書
1預期2026/9/23
最少： 1
倍數： 1
72 Mbit 2 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
規格書
42預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
規格書
41預期2026/8/24
最少： 1
倍數： 1
否
1 Mbit 32 k x 36 6 ns 133 MHz 3.45 V 3.15 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM
規格書
40預期2026/12/21
最少： 1
倍數： 1
否
2 Mbit 64 k x 36 25 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies CY7C1461KV33-133AXI
Infineon Technologies SRAM No Bus Latency(NoBL) Burst SRAM
規格書
72預期2026/9/17
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7C4142KV13-933FCXI
Infineon Technologies SRAM SYNC
規格書
39預期2026/11/26
最少： 1
倍數： 1

85 ps 4 A Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
規格書
12在途量
最少： 1
倍數： 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM
規格書
675預期2026/12/3
最少： 1
倍數： 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
規格書
269預期2026/12/28
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
1,755預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
規格書
1,918預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Tray
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
規格書
471預期2026/8/25
最少： 1
倍數： 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
規格書
395預期2026/8/24
最少： 1
倍數： 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray