RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

電感器、扼流圈和線圈

變更類別視圖
結果: 5,455
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 感應係數 耐受性 最大直流電流 終端類型 最高工作溫度 資格
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

11 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 12nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

12 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD 12nH 250MHz 5% Tol 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

12 nH 5 % 640 mA SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 13nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

13 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

13 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 15nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

15 nH 5 % 560 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD 15nH 250MHz 5% Tol 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

15 nH 5 % 560 mA SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 16nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

16 nH 5 % 560 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD 16nH 250MHz 5% Tol 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

16 nH 5 % 560 mA SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 18nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

18 nH 5 % 420 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD 18nH 250MHz 5% Tol 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

18 nH 5 % 420 mA SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 19nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

19 nH 5 % 480 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

19 nH 5 % 480 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 20nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

20 nH 5 % 420 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD 20nH 250MHz 5% Tol 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

20 nH 5 % 420 mA SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD 22nH 250MHz 5% Tol 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

22 nH 5 % 400 mA SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 23nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

23 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

23 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 24nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

24 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

24 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 27nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

27 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD 27nH 250MHz 5% Tol 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

27 nH 5 % 400 mA SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 30nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

30 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

30 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF電感器 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 33nH, Tol 5% 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

33 nH 5 % 320 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200