18 bit 記憶體 IC

記憶體 IC的類型
變更類別視圖
結果: 36
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
組織
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

FIFO SMD/SMT TQFP-64 72 kbit 4 k x 18 0 C + 70 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit 16 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit 16 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 50
倍數： 1
否
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit 256 k x 18 0 C + 70 C Tray
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
規格書
前置作業時間 18 週
最少： 1
倍數： 1
否
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit 256 k x 18 - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C Bulk