8 bit 128 Mbit DRAM

結果: 14
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 9,403庫存量
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 74庫存量
4,800預期2026/8/27
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM 636庫存量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S70KL1282DPBHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 2,100庫存量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 388庫存量
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 426庫存量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24 470庫存量
4,320預期2026/12/21
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 3,376庫存量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 416庫存量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI IS66WVH16M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 341庫存量
480預期2026/8/31
最少: 1
倍數: 1
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,160庫存量
最少: 1
倍數: 1
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
2,500預期2026/12/15
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel