8 bit DRAM

結果: 340
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, COMMERCIAL temp - Tray
規格書
162庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 256 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C Tray
ISSI DRAM 256M 32Mx8 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
規格書
38庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R
規格書
產品評論
180庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
規格書
130庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR82560C Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
規格書
101庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 8 bit BGA-78 512 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR85120B
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
56庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM
規格書
1庫存量
2,400在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFGBA-24 8 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS66WVH8M8BLL
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
112庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (B die), Commercial Temp - Tray
規格書
29庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C AS4C128M8D3LB Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (B-die) Industrial Temp - Tray
規格書
前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D3LB Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 512MB, 64M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray
規格書
14庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C64M8SC Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 64Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60
規格書
59庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 1Gx8, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
945在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IM8G08D4 Tray
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
規格書
81庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
規格書
126庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
14,300預期2026/12/21
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial
規格書
210在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60
規格書
264預期2027/2/9
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
338在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
338預期2027/2/9
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
313在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tray
規格書
726預期2027/5/19
最少： 1
倍數： 1
SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 18 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C AS4C512M8D4-83 Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
432預期2027/7/28
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J