DRAM

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結果: 2,449
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
規格書
8,786在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16512B Tray
ISSI DRAM DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
規格書
2,040預期2027/2/12
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16512B
ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
規格書
8,568在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray
ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
規格書
11,784在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
規格書
4,923在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 19 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
規格書
5,686在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C IS46TR16256BL
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
規格書
5,717在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640B Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz
規格書
5,832在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz
規格書
3,672在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz
規格書
4,968在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz
規格書
4,752在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
規格書
8,716在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT
規格書
4,662在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
12,096在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
9,113在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM SDRAM,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
規格書
5,141在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
4,635在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
3,833在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
1,088預期2027/7/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
規格書
952在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
規格書
3,371在途量
最少： 1
倍數： 1
SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
1,118預期2027/7/30
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
2,000預期2027/8/12
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
7,498在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
14,293預期2027/3/15
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel