onsemi 900V碳化矽(SiC) MOSFET
與矽裝置相比，onsemis 900V碳化矽(SiC) MOSFET採用的技術可提供出色的開關性能及更高的可靠性。而且，低導通電阻及小巧的晶片尺寸可確保低電容與低閘極電荷。因此，系統優勢包括高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統尺寸。
特點
- 額定電壓：900V
- 低導通電阻
- 小巧的晶片尺寸可確保低電容及低閘極電荷
- 高速開關、低電容
- 100%經UIL測試
- 符合汽車應用類AEC-Q100標準
應用
- 用於電動汽車(EV)／插電式混合動力電動汽車(PHEV)的汽車DC/DC轉換器
- 車載充電器
- 汽車輔助電機驅動
- 太陽能逆變器
- 網路電源
- 伺服器電源
- 功率因素校正
- OBC
- 升壓逆變器
- 光伏充電
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發佈日期: 2020-04-01
| 更新日期: 2024-06-07