KEMET高溫200°C C0G MLCC

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KEMET高溫200°C C0G MLCC表面黏著陶瓷晶片電容器具備強大且專屬的卑金屬介電系統，在電容與封裝尺寸方面提供領先業界的效能，並且可在最高+200°C的極端溫度下提供電容穩定性。KEMET的新平台為現有的高溫C0G技術帶來縮小尺寸的機會，並為現有的X7R/BX/BR技術提供替代方案。

新品! KEMET已擴充高溫C0G MLCC產品系列，包含其他高電壓的高溫電容器。

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• 無壓電特性
• 極低的ESR與ESL
• 高散熱能力
• 高漣波電流能力
• 適合線路頻率與進入MHz範圍的電容解決方案
• 額定DC電壓時電容不會產生變化
• 溫度介於-55至+200ºC皆不會造成電容產生變化
• 電容不會隨著時間衰變
• 非極性裝置

EIA標準封裝尺寸選項包括0402、0603、0805、1206、1210及1812，採用鎳屏障/錫或錫/鉛端子。

TKEMET高溫MLCC的典型應用包括計時、調校、去耦合、旁路、過濾、瞬態電壓抑制、阻斷及能源儲存，可在極端環境中用於井下探勘、航太引擎室及地球物理探測。

電容
上述裝置的標準電容額定值範圍從0.5pF最高至0.22ìF，提供的電容公差為±0.25pF、±0.5pF、±1%、±2%、±5%、±10%或±20%。電容溫度係數 (TCC) 為±30ppm/°C從-55°C至+200°。

電壓
裝置的DC額定電壓為10V、16V、25V、50V及100V，損耗因數為0.10%。