SAM D5及E5微控制器以最高120MHz運行,具有高達1MB的雙面板快閃記憶體,附帶錯誤糾正碼 (ECC) 功能,可輕鬆實現即時更新,無需中斷運行系統。此外,這些系列具有高達256KB的SRAM(附ECC功能),對於醫療設備或伺服器系統等關鍵任務應用至關重要。
這些新微控制器擁有多個介面,可為最苛刻的連接需求提供設計靈活性。兩個系列均包含一個四串行外設介面 (QSPI),具有現地執行 (XIP) 功能。這可讓系統採用高性能串聯快閃記憶體,較傳統引腳並行快閃記憶體小巧且低成本,以滿足外部記憶體需求。SAM D5/E5裝置還具有用於資料記錄的安全數碼主機控制器 (SDHC)、用於電容觸控功能的周邊觸控控制器 (PTC) 及要求功率效率的一流有源功率性能 (65 uA/MHz)。此外,SAM E5系列包括兩個CAN-FD埠及一個10/100Mbps乙太網媒體存取控制器(MAC),支援IEEE 1588,使其充分適用於工業自動化、互聯家庭及其他物聯網(IoT)應用。
SAM D5及E5系列均包含全面的加密硬件及軟件支援,使開發人員能夠在設計開始時納入安全措施。基於硬件的安全功能包括支援橢圓曲線加密(ECC)及RSA方案的公鑰加密控制器(PUKCC),以及進階加密標準(AES)加密及安全雜湊演算法(SHA)。
SAM D5及E5微控制器採用QFN、TQFP及WLCSP封裝,具有多種引腳數,可實現設計靈活性。
特點
- 內核:120MHz Arm Cortex-M4
- 120MHz時403 CoreMark®
- 4KB綜合指令緩存及資料緩存
- 8區記憶體保護單元 (MPU)
- Thumb®-2指令集
- 附帶指令跟蹤流的內建跟蹤模組 (ETM)
- CoreSight內建跟蹤緩衝器 (ETB)
- 跟蹤埠介面單元 (TPIU)
- 浮點單元 (FPU)
- 記憶體
- 1MB/512KB/256KB系統內自編程閃存記憶體,附帶:
- 錯誤糾正碼 (ECC)
- 具有讀取及寫入(RWW) 支援的雙庫
- EEPROM硬件模擬
- 256/192/128KB SRAM主記憶體
- 128/96/64KB錯誤糾正碼 (ECC) RAM選項
- 1MB/512KB/256KB系統內自編程閃存記憶體,附帶:
- 最高4KB的緊密耦合記憶體 (TCM)
- 最高8KB額外SRAM
- 可在備份模式下保留
- 八個32位備份寄存器
- 運行條件
- 1.71V至3.6V、-40°C至+85°C、DC至120MHz
- 系統
- 上電復位 (POR) 及斷電檢測 (BOD)
- 內部及外部時鐘選項
- 外部中斷控制器 (EIC)
- 16個外部中斷
- 一個不可使用的中斷
- 雙引腳串行調試 (SWD) 編程、測試及調試介面
- 電源
- 空閒、待機、休眠、備份及關閉睡眠模式
- 夢遊外圍設備
- 備用電池支援
- 支援動態選擇的內建降壓/LDO穩壓器
- 封裝
- 48引腳QFN
- 64引腳QFN、TQFP、WLCSP
- 100引腳TQFP
- 128引腳TQFP
影片
結構圖
發佈日期: 2017-08-07
| 更新日期: 2022-03-24

