Microsemi / Microchip 碳化矽(SiC)肖特基能障二極體
Microsemi / Microchip碳化矽肖特基能障二極體具有出色的動態性能及熱性能，優於傳統的矽功率二極體。與純矽裝置相比，碳化矽裝置具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙及更高的熱導率。碳化矽肖特基二極體具有零正向及反向恢復電荷，可減少二極體的開關損耗。這些裝置還設有溫度獨立開關，可確保穩定的高溫性能。
特點
- 超快速恢復時間
- 軟恢復特性
- 低正向電壓
- 低漏電流
- 額定雪崩能量
- 基本上零正向及反向恢復 = 減少開關及二極體開關損耗
- 符合AEC-Q101標準，可用175℃結溫。
- 在更高的開關頻率下提高系統效率
- 低開關耗損
- 低雜訊(EMI)切換
- 系統可靠性更高、功率密度更大
- 更低的系統成本降低（較小的磁性／散熱器、更少的組件、更小的系統尺寸）
- 符合商用及汽車標準的解決方案
應用
- 商用航空：
- 工業：
- 電機驅動器、焊接、不間斷電源、感應加熱、開關模式電源
- 運輸／汽車：
- 電動汽車電池充電器、車載充電器、混合動力汽車／電動汽車動力傳動系統、DC-DC轉換器、能量回收
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