特點
- 400MHz最大時鐘頻率範圍
- 4位元預取DDR架構
- 低電壓電源
- 自動TCSR
- 部分陣列自我刷新(PASR)省電模式
- 上年度功率下降(DPD)模式
- 驅動強度(DS)控制
- 八個內部儲蓄位用於同時操作
- 多路復用、雙倍數據速率及指令/地址輸入
- 每字元數據雙向/查分數據探針
- DM在數據選通上升和下降邊緣遮蓋寫入數據
- 可編程讀取和寫入(RL/WL)
- 4、8或16個可編程突髮長度
- 支持自動和自我刷新
- 支持所有儲蓄位自動刷新及按儲蓄位自動刷新
- 時鐘停止功能
- -40°C至85°C操作溫度範圍
DDR2 SDRAM結構圖
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| 零件編號 | 規格書 | 存儲容量 |
|---|---|---|
| AS4C32M32MD2A-25BIN | ![]() |
1 Gbit |
| AS4C64M16MD2A-25BINTR | ![]() |
1 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-25BIN | ![]() |
4 Gbit |
| AS4C64M16MD2A-25BIN | ![]() |
1 Gbit |
| AS4C64M32MD2A-25BIN | ![]() |
2 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-18BIN | ![]() |
4 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-18BINTR | ![]() |
4 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-25BINTR | ![]() |
4 Gbit |
| AS4C32M32MD2A-25BINTR | ![]() |
1 Gbit |
| AS4C128M16MD2A-25BINTR | ![]() |
2 Gbit |
發佈日期: 2018-06-28
| 更新日期: 2022-11-07


