Alliance Memory 低功率DDR2 SDRAM

Alliance Memory低功率DDR2 SDRAM是高速CMOS和動態存取記憶體,內部配置為8個儲蓄位記憶體裝置。 這些DDR2 SDRAM採用4位元預取DDR架構、可編程READ和WRITE潛伏期、自動溫度補償自我刷新(TCSR)及時鐘停止功能。DDR2 SDRAM在指令/地址(CA)匯流排上採用雙倍數據傳輸率架構,減少了系統內的輸入引腳數量。此CA匯流排用於傳送地址、指令和儲蓄位資訊。這些DDR2 SDRAM透過在DQ(雙向/查分數據匯流排)引腳上採用雙倍數據傳輸率架構,實現高速操作。

特點

  • 400MHz最大時鐘頻率範圍
  • 4位元預取DDR架構
  • 低電壓電源
  • 自動TCSR
  • 部分陣列自我刷新(PASR)省電模式
  • 上年度功率下降(DPD)模式
  • 驅動強度(DS)控制
  • 八個內部儲蓄位用於同時操作
  • 多路復用、雙倍數據速率及指令/地址輸入
  • 每字元數據雙向/查分數據探針
  • DM在數據選通上升和下降邊緣遮蓋寫入數據
  • 可編程讀取和寫入(RL/WL)
  • 4、8或16個可編程突髮長度
  • 支持自動和自我刷新
  • 支持所有儲蓄位自動刷新及按儲蓄位自動刷新
  • 時鐘停止功能
  • -40°C至85°C操作溫度範圍

DDR2 SDRAM結構圖

結構圖 - Alliance Memory 低功率DDR2 SDRAM
發佈日期: 2018-06-28 | 更新日期: 2022-11-07