ADuM3223閘極驅動器採用窄體SOIC封裝,可提供3kVrms隔離功能,ADuM4223閘極驅動器採用寬體SOIC封裝,可提供5kVrms強化隔離功能。裝置可用3.3V至5.5V輸入電壓運作,尖峰輸出電流達到4A。3.3V至5.5V的輸入電壓供應範圍,使裝置相容於更低電壓的系統。ADuM3223/ADuM4223隔離型半橋閘極驅動器亦提供低於55ns的傳播延遲和低於5ns的延遲,速度比採用光耦合器技術的裝置快上四倍。
特點
- 4A尖峰輸出電流
- 高側或低側輸入相對電壓:537 VPEAK
- 高側到低側的差分電壓:800 VPEAK
- 高頻運作:最高1MHz
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3.3V至5V CMOS輸入邏輯
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4.5V至18V輸出驅動
- UVLO發生於2.5V VDD1
- ADuM3223A/ADuM4223A UVLO發生於4.1V VDD2
- ADuM3223B/ADuM4223B UVLO發生於7.0V VDD2
- ADuM3223C/ADuM4223C UVLO發生於11.0V VDD2
- 54ns最大隔離器與驅動器傳播延遲
- 5ns最大通道對通道匹配
- CMOS輸入邏輯位準
- 高共模瞬態抗擾性:>25kV/µs
- 強化系統級ESD效能,符合IEC 61000-4-x
- 高接點溫度運作:125°C
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過熱關機保護 預設低輸出
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符合汽車應用標準
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符合UL的UL 1577標準
- SOIC長型封裝3000Vrms達1分鐘(ADuM3223)
- SOIC長型封裝5000Vrms達1分鐘(ADuM4223)
- CSA元件認可通知5A
- VDE符合證書
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM = 560VPEAK (ADuM3223)
- VIORM = 849VPEAK (ADuM4223)
應用
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交換電源供應器
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隔離型IGBT/MOSFET閘極驅動器
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工業變頻器
- 汽車
功能方塊圖
影片
Additional Resources
Coupler Technology Benefits Gallium Nitride (GaN) Transistors in AC/DC Designs
GaN transistors with smaller device sizes, lower on resistance, and higher working frequency offer many advantages over traditional silicon-based MOSFETs. Adopting GaN technology could cut total solution size without compromising efficiency.
Maximum Power Limit for Withstanding Insulation Capabilities of Modern IGBT/MOSFET Gate Drivers
發佈日期: 2018-02-13
| 更新日期: 2025-01-28

