Avalanche Technology 並聯P-SRAM記憶體
Avalanche Technology並聯持久SRAM記憶體是一款磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)，可提供1Mbit至32Mbit的密度範圍。P-SRAM記憶體操作電壓範圍為2.7V至3.6V。P-SRAM記憶體裝置採用小尺寸54引腳TSOP、44引腳TSOP和48球FBGA封裝。這些封裝可與類似的低功率揮發性和非揮發性產品相容。並聯持久SRAM記憶體裝置的工業溫度範圍為-40°C至85°C，工業進階版操作溫度範圍為-40°C至105°C。
MRAM技術類似於快閃記憶體技術，具有與SRAM相容的讀取/寫入計時功能（持久SRAM/P-SRAM）。此MRAM是一個真正的隨機存取記憶體，允許讀取和寫入在記憶體中隨機進行。MRAM理想適用於必須儲存和恢復資料且不會導致嚴重延遲懲罰的應用。該技術提供低延遲、低功率、幾乎無限的耐久性和資料保留、高性能和可擴充的記憶體技術。
特點
- 介面
- 並聯異步x16
- 技術：
- 40nm pMTJ STT-MRAM：
- 幾乎無限的耐久性和資料保留
- 40nm pMTJ STT-MRAM：
- 密度：
- 1Mbit、4Mbit、8Mbit、16Mbit和32Mbit
- 操作電壓範圍：
- VCC：2.7V至3.6V
- 操作溫度範圍
- 工業溫度範圍：-40°C至85°C
- 工業進階版操作溫度範圍：-40°C至105°C
- 封裝：
- 44引腳TSOP (10mm x 18mm)
- 54引腳TSOP (10mm x 22mm)
- 48球FBGA (10mm x 10mm)
- 記憶體陣列組織：
- 1Mbit: 65,536 x 16
- 4Mbit: 262,144 x 16
- 8Mbit: 524,288 x 16
- 16Mbit: 1,048,576 x 16
- 32Mbit: 2,097,152 x 16
- 符合RoHS規定
結構圖
相關P-SRAM記憶體
Avalanche Technology Serial P-SRAM Memory
Offers a density range from 1Mbit to 16Mbit, low latency, and low power.
發佈日期: 2021-01-21
| 更新日期: 2022-03-11